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JS182N16

▪ L'efficacité de conversion élevée se traduit par d'excellentes performances de puissance de sortie

▪ Excellente puissance de sortie même dans des conditions de faible luminosité ou de haute température

▪ Conception optimisée pour une soudure et une superposition faciles

▪ Stabilité à long terme et performances fiables

▪ Faible taux de casse

▪ Couleurs uniformes

  • livraison locale gratuite
  • Garantie d'alimentation de 25 ans
  • Assistance client à vie
Certifications et normes
Cellule monocristalline JS182N16
caractéristique
JS182N16单晶电池片
JS182N16单晶电池片
attributs de conception
produit tranche
Matériel silicium
Méthode de croissance cristalline Méthode de traction droite CZ
type de conductivité type N
Résistivité 0,3-2,1 ohms/cm2
durée de vie d'un porteur minoritaire ≥800μs
teneur en oxygène interstitiel ≤13ptma
teneur en carbone de remplacement ≤1ptma
Type de plaquette monocristal
Taille de la plaquette 182*182 ± 0,3 mm
Longueur du chanfrein 245,6 ± 0,3 mm
angle 90 ± 0,2°
épaisseur de la batterie 140 μm ± 14 μm
Courbe IV
propriétés électriques


JS182N16

Paramètres de performances électriques
Coefficient de température LSC α (%/K) +0,07
Coefficient de température COV β(%/K°) -0,36
Coefficient de température Pmax v (%/K°) -0,38


Les conditions de test nominales pour les paramètres IV sont des conditions de test standard (irradiance 10,0 Wm7, AM 15, température de la cellule 25'°C) Toutes les mesures sont garanties aux fils laminés. NOCT mesure la vitesse du vent à 800 W/m², à une température ambiante de 20 C et à 1 m/s. Les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.

JS Solar se réserve le droit d'interprétation finale et de révision de cette fiche technique.

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